IRFS3206 Power MOSFET Nチャンネル MOSFET 60V 210 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン パワー ＭＯＳ ＦＥＴ 3206

各種インバーター回路、ソーラーコントローラー モーター制御

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VDSS 60V

RDS(on) typ. 2.4m max. 3.0m

ID (Silicon Limited) 210A ID (Package Limited) 120A

仕様

チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 210A
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
パッケージタイプ D2PAK (TO-263)
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 3 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 300 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 1
幅 9.65mm
長さ 10.67mm
トランジスタ素材 Si
動作温度 Max +175 °C
標準ゲートチャージ @ Vgs 120 nC @ 10 V
高さ 4.83mm
動作温度 Min -55 °C

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