6200円(税別)。1998年初版5刷。培風館アドバンストエレクトロニクスシリーズ I-9
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出版社紹介文
本書は、超LSIメモリの黎明期から最前線で設計に携わってきた著者が、その設計技術を体系的に、わかりやすく解説した貴重な成書である。
全体の構成は、超LSIの動作・機構・構造上の原理に加えた入門者向けの部分と、最新の技術動向についても専門的に掘り下げた部分からなっている。まず各種の超LSIメモリの動作原理と、MOS集積回路の基礎を詳述する。次いで、代表的なダイナミックメモリをとりあげて、その高性能化技術(高S/N技術、内部電源電圧発生回路技術など)について具体的に論じる。さらに超高速システムメモリ技術や、サブスレッショルド電流の問題とその低減回路技術に力点をおいて超LSIメモリの将来を展望している。
発送は、レターパックライト、
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入札の取り消しはご遠慮下さい。
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梱包について
ビニールと封筒で梱包します。
緩衝材での梱包をご希望の場合は110円ご負担お願いします(送料が変わる場合があります)。
もくじ
1 メモリLSIの基礎
メモリLSI概説
半導体メモリの誕生と発展/メモリの種類と内部構成/技術動向
MOS集積回路
回路素子/スタティックNMOSインバータ/ダイナミックNMOS回路/CMOS回路/他
2 DRAM回路
ダイナミックメモリ技術の発展の概要
ダイナミックメモリの基礎
1トランジスタセルの基本動作/増幅動作/チップの基本構成とアドレス信号多重化方式/他
高性能化基本技術の概要
大容量化と素子の比例縮小則/S/Nの低下と向上技術/消費電力の増加と低減技術/他
メモリアルアレーとその分割
データ線の分割/ワード線の分割
読み出し系回路
アドレスバッファ関連回路/デコーダ/ワードドライバ/センス系回路/他
書き込み系回路
リフレッシュ系回路
リフレッシュ方式/通常動作モードにおけるデータ保持時間拡大回路/他
欠陥救済回路
内蔵テスト回路
3 DRAMの高S/N技術
回路ブロックとS/N
メモリアル構造とS/N
信号電荷/ソフトエラー臨界電荷/りーく電流による損失電荷
雑音の発生機構とその低減
データ対線構成における雑音/ワード線駆動雑音/データ対線の電気的不平衡とアンプの感度/他
4 内部電源電圧発生回路
基板電圧関連技術
基板電圧の必要性/基板電圧発生回路と諸問題/電源投入特性/他
降圧電源回路
降圧電源回路の必要性と課題/降圧電源回路の最適設計/位相補償による動作の安定化技術/スクリーニング対応回路技術/他
昇圧電源回路
昇圧電源の必要性と課題/昇圧電源回路方式
VDD/2回路
5 メモリ技術の応用と展望
応用展開ならびに微細・大容量化への課題
汎用DRAMの多様化対応技術
標準電源電圧/データ入出力の多ビット構成
超高性能システムメモリ技術
システムメモリ出現の必然性/サブシステム技術の動向/開発例
特定用途向けメモリ技術
画像メモリ技術/ファイルメモリ/超高速DRAM/不揮発RAM/他
低電圧回路
低電圧化に伴う課題/サブスレッショルド電流低減回路の概念/待機電流低減の具体例/他
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